WLBI设备是专为碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）设计打造的晶圆级老化测试系统。该系统可对晶圆进行长时间高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）老化测试，高效筛选出早期失效的缺陷芯片。系统软件可视化设计，支持在线编辑MAP，可生成详细老化数据。
半自动老化系统B5260M，支持6片同时老化，支持高密度探针卡以及高压Chuck最高可支持一次同时老化720个Die。
全自动老化系统B5260，支持6&8寸晶圆，最多支持12片同时老化测试，最高可支持一次同时老化2640个Die，支持HTRB老化过程对Gate极施加偏压，满足客户多样化测试需求。
高精的温度控制，在10℃/min的升温速率下，保证温度无过冲，温度均匀性小于1℃，且在达到设定温度后，温度波动小于1℃；
HTGB支持±100V
HTRB支持2000V（计划3000V）
反偏测试同时栅极偏压 （B5260支持）
采用针尖和产品PAD定位方式，快、准、稳，重复扎针精度保证20um内
采用基恩士相机，可以根据校准码识别校准，准确率极高
数据图形化，进度状态联同，支持EXCEL &定制MAP制作器，更便捷
B5260M 半自动软件
进度可视化--实时显示工作进度和状态
自动化，无需人工干预，运行可视化，支持续测功能
| 参数类型 | 指标内容 | |
| 系统参数 | 晶圆尺寸 | 4寸、6寸wafer（全自动持8寸） |
| 老化类型 | HTGB, HTRB. VTH | |
| 系统功率 | <30KW（峰值功率） | |
| 单层系统通道 | 720路（全自动2640） | |
| 系统腔室 | 6（全自动最多12） | |
| 单层晶圆单独老化 | 每层独立工作，可实现分批次老化 | |
| 量测性能 | 温度范围 | RT-175℃（均匀性±1℃） |
| 电压范围 | 栅极±100V，源极2000V（计划3000V） | |
| 电压精度 | ±100V源精度：0.05%±20uV | |
| 2000V电源精度：0.1%±10V | ||
| 电流范围 | 1uA/100uA/1mA/10mA/100mA | |
| 电流精度 | 1uA:0.2%±30pA 100uA:0.2%±1nA 1mA:0.2%±10nA 10mA:0.2%±150nA 100mA:0.2%±1μA |
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| 保护功能 | 电流电压过冲 | 无EOS现象 |
| 晶圆加热功能 | 单层可设置温度保护范围，超出范围加热器断电 | |
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输出电流，电压保护（单路独立控制） |
HTGB：输出电流电压无过冲，输出短路保护 HTRB：输出电流电压无过冲，输出短路保护，抑制高压放电 |
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| 单层充氮气 | 防止晶圆表面老化，防止高压打火，预防PAD氧化，提升整体绝缘性能 | |
| 输出阶梯式上电 | 支持 | |
小结
晶圆级老化测试，可以有效的筛选出可靠性存在隐患的芯片，保障封装后的模组在未来的使用中的可靠性，降低后续封装测试的成本，提高出货产品的质量。
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